本篇文章给大家谈谈固态mlctlc怎么看，以及固态硬盘怎么看tlc对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
本文目录：- 1、到底怎么查看固态硬盘是mlc还是tlc
- 2、怎样查看电脑固态硬盘是TLC还是MLC ？
- 3、ssd 怎么区分 mlc tlc
- 4、怎样查看电脑固态硬盘是TLC还是MLC 的？
- 5、怎样看固态硬盘 tlc mlc
- 6、固态硬盘slc mlc tlc怎么区分
到底怎么查看固态硬盘是mlc还是tlc
MLC是一个存储单元放2bit的技术，TLC是一个存储单元放3bit的技术。
MLC的理论寿命是一个单元刷写3000-10000次
TLC的理论寿命是一个单元刷写500-1000次（目前好像就是500次都很难达到）
MLC的比较贵，TLC比较便宜。直观上看，MLC的都是2的整倍数容量，如64G、128G等，TLC的都是3的整倍数容量，如60G，120G等。
购买建议，尽量买MLC的。
怎样查看电脑固态硬盘是TLC还是MLC ？
看电脑说明书上的参数
用AS SSD的时候，有个调测试文件大小的地方
默认都是1G的
把他调大到20G以上，如果速度突然下降的特别大，比如本来是300MB突然到了70MB的
这个就是TLC的，如果是下降一半左右的，那就是MLC。
比较TLC和MLC的综合性能
对比产品：
金士顿 UV400 240G固态硬盘（TLC颗粒），市场价419元。
镁光MX200 250G固态硬盘（MLC颗粒），市场价629元。
从价格对比可以看出，TLC相对MLC还是有很大的价格优势，那么性能呢？下面我们通过实测对比具体看看。
首先来看看外观对比，两款产品的外壳都为金属材质，UV400为银灰色磨砂表面，MX200为银色拉丝表面。背面方面，两款产品都很简洁。经查资料得知，UV400采用Marvell 88SS1074主控、东芝15nm TLC闪存颗粒，MX200采用Marvell 88SS9189主控、镁光16nm IMFT MLC。
首先看到的是两款SSD的S.M.A.R.T信息，如图。
AS SSD Benchmark测试，可以看出，尽管UV400总分略低于MX200，但两款产品的性能其实是非常接近的，无论是持续读写还是4K读写，两款产品的差距都很小。
CrystalDiskMark测试，两款产品依然非常接近。
TxBENCH测试，两款产品依然非常接近。
ATTO Disk Benchmark测试结果也和前面差不多。
PCMark7测试，5205分对5512分，依然非常接近。
实测
从测试结果可以看出，采用TLC的UV400性能和采用MLC的MX200差距并不是很大，考虑到两者之间有200多的价格差，这点性能差距都可以忽略不计了。不过尽管UV400的表现很惊艳，但这并不代表所有的TLC SSD都有这么强悍的性能，下面再谈一些对TLC SSD的认识吧：
1.随着技术的进步，TLC颗粒SSD已今非昔比，无论性能还是耐久度，都得到了极大提升，不过在选购TLC SSD时，还是要选大牌，远离山寨，莫贪便宜才能避免被坑。
参考资料
电脑百事网.电脑百事网[引用时间2018-1-15]
ssd 怎么区分 mlc tlc
每个单元存储的数据比特(位)不一样，其中slc只有一个，mlc是两个，tlc则是三个。
据说tlc寿命短
价格也低一点
mlc性价比最高
slc速度快成本也高价格贵
对于厂商来说
tlc比mlc成本低
目前貌似tlc的ssd也就三星在做
毕竟人家自己有厂
能做闪存颗粒
推荐mlc
日常用完全足够
开机快0.1秒慢0.1秒什么的没什么区别
怎样查看电脑固态硬盘是TLC还是MLC 的？
你可以去下载“芯片无忧”这个软件，它可以看到具体是什麼类型的SSD
你也可以直接去
三星
的官网看你的型号信息
望采纳
怎样看固态硬盘 tlc mlc
最好的办法是看参数。
每个固态硬盘用的是什么闪存是可以搜到的。
不过，小厂家经常会换，刚上市用mlc，之后偷换tlc，这是经常的。所以要买大品牌。
当然，也可以拆开看，看到芯片搜资料也可以。不过不推荐。
固态硬盘slc mlc tlc怎么区分
SLC、MLC和TLC
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell),原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料,直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后,架构演进为1个存储器储存单元存放2位元.
2009年TLC架构正式问世,代表1个存储器储存单元可存放3位元,成本进一步大幅降低.
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般,这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火,之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局,使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上.
TLC芯片虽然储存容量变大,成本低廉许多,但因为效能也大打折扣,因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上,象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等.
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高,对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品,则一定要使用SLC或MLC芯片.
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机,都必须要使用SLC或MLC芯片,因此这两种芯片都处于缺货状态,而TLC芯片却是持续供过于求,且将整个产业的平均价格往下拉,使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时,出现罕见的市场规模缩小情况发生,从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元,减少6.5%.
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵（约MLC 3倍以上的价格）,约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次.
目前,安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片.读写速度：采用H2testw v1.4测试,三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s,读取速度: 12.2-12.9 MByte/s.三星SLC写入速度: 8.5MByte/s,读取速度: 14.3MByte/s.
需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大.
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命.
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】.
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】.
闪存产品寿命越来越短,现在市场上已经有TLC闪存做的产品了
鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大
强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品
许多人对闪存的SLC和MLC区分不清.就拿目前热销的MP3随身听来说,是买SLC还是MLC闪存芯片的呢?在这里先告诉大家,如果你对容量要求不高,但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高,那么SLC闪存芯片的首选.但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多,所以目前2G以上的大容量,低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片.大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐,但是其固有的缺点,也不得不让我们考虑一番.
什么是SLC?
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 .主要由三星、海力士、美光、东芝等使用.
SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄,在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压,然后透过源极,即可将所储存的电荷消除,通过这样的方式,便可储存1个信息单元,这种技术能提供快速的程序编程与读取,不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技术.
什么是MLC?
MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存.主要由东芝、Renesas、三星使用.
英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC,其作用是将两个单位的信息存入一个Floating
Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分）,然后利用不同电位（Level）的电荷,通过内存储存的电压控制精准读写.MLC通过使用大量的电压等级,每个单元储存两位数据,数据密度比较大.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此,MLC架构可以有比较好的储存密度.
与SLC比较MLC的优势：
签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主,我们多了解下SLC和MLC储存.SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构的储存密度较高,并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量,无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势.
与SLC相比较,MLC生产成本较低,容量大.如果经过改进,MLC的读写性能应该还可以进一步提升.
与SLC比较MLC的缺点：
MLC架构有许多缺点,首先是使用寿命较短,SLC架构可以写入10万次,而MLC架构只能承受约1万次的写入.
其次就是存取速度慢,在目前技术条件下,MLC芯片理论速度只能达到6MB左右.SLC架构比MLC架构要快速三倍以上.
再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗.
虽然与SLC相比,MLC缺点很多,但在单颗芯片容量方面,目前MLC还是占了绝对的优势.由于MLC架构和成本都具有绝对优势,能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求.
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