今天给各位分享怎么在bios设置内存条的知识，其中也会对bios里面怎么设置内存进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
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怎么在bios设置内存条频率呢
存主频，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz(兆赫)为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。那么该如何解决在bios设置内存条频率这个难题呢？下面是我收集的关于在bios设置内存条频率的解决 方法 ，希望对你有所帮助。
在bios设置内存条频率的方法
进入 BIOS 后，选择第二项高级频率设置
这个设置不仅能调节内存频率，还可以对处理器进行调节。
首先将内存频率设置打开成手动
然后从下图看出，分频器一共可以分为6-18共七个档，对应的内存频率为DDR3-800到DDR3-2400，具体算法就是上图CPU外频为133，通过内存分频后，将两者相乘就是最后的频率。
分别调至10，显示内存频率为DDR33-1333
当然，笔者的主板是通过这种方式计算的，而且分频档位比较多，而一般主板则没有太多的选择，所以还需要对CPU的外频进行超频，这样可以提升内存的频率，不过不建议菜鸟这么做，因为一般主板支持DDR3-1600还是不成问题的。
另外，有的AMD主板在频率选择上比较直接，就标识DDR3-800、DDR3-1333、DDR3-1600等等，所以用户直接选择即可。
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华硕主板bios怎么设置内存
想知道怎么设置 BIOS 的内存吗?下面是我带来华硕主板bios怎么设置内存的内容，欢迎阅读!
华硕主板bios怎么设置内存：
开机后反复点击Del键，就可以进入BIOS菜单，如下图。其中具有超频选项的是第一项，MB Intelligent Tweaker(M.I.T.)，选中后进入超频菜单。
超频菜单选项
在这个菜单中，我们不仅可以对内存进行超频，同时也可以超频CPU，包括外频、倍频调节等等。这里我们超频内存暂不对CPU进行调节。仅仅通过主板BIOS的设置进行超频，有利于菜鸟操作。首先给菜鸟介绍一下这个菜单里面的XMP技术。
超频菜单子项
在超频子菜单中，有一项技术是XMP技术，相信很多菜鸟不是特别熟悉，它是Extreme Memory Profile的缩写，是Intel在2007年9月提出的内存认证标准，只适用于DDR3。
Intel的XMP技术
其实XMP技术就相当于数码相机的自动挡，属于傻瓜设置。起因就是很多内存具有不错的超频性能，但是繁杂的设置很令用户头疼，特别是菜鸟级别用户，所以厂商就直接把内存能够达到最大效果的频率、时序、电压写入内存的SPD中，这样只要启用SPD中的这个超频设定，内存就可以被自动超频到预设的频率。
上图的BIOS设置里，Extreme Memory Profile(X.M.P.)就是这个功能的开启键，其中Disabled为关闭，Enable为打开。
下面就是对一款DDR3-1333内存的超频，包括对内存的频率调节、时序调节和电压调节。
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BIOS中内存的频率设置
对于内存超频而言，根据不同主板，可以采用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现 方法 有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作;二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。
选择第二项高级频率设置
这个设置不仅能调节内存频率，还可以对处理器进行调节。不过内存超频本来就是和CPU有着很大关系的。
首先将内存频率设置打开成手动
然后从下图看出，分频器一共可以分为6-18共七个档，对应的内存频率为DDR3-800到DDR3-2400，具体算法就是上图CPU外频为133，通过内存分频后，将两者相乘就是最后的频率。
分别调至10
显示内存频率为DDR33-1333
频率调至12
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联想bios内存条怎么设置
内存(Memory)被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。那么联想bios内存条怎么设置?下面是我给大家整理的一些相关信息，希望对大家有帮助!
联想bios内存条怎么设置
FSB与内存频率的关系
首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率 实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz
对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所 以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系
强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置
内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。
涉及到的参数分别为： CPC : Command Per Clock tCL : CAS Latency Control tRCD : RAS to CAS Delay tRAS : Min RAS Active Timing tRP : Row Precharge Timing tRC : Row Cycle Time tRFC : Row Refresh Cycle Time tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) tWR : Write Recovery Time ……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。tCL : CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传 送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或 2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值 为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。tRCD : RAS to CAS Delay
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
微星主板bios设置内存方法
你们知道怎么设置 BIOS 的内存吗?下面是我带来微星主板bios设置内存 方法 的内容，欢迎阅读!
微星主板bios设置内存的方法：
CMOS中关于内存的设置比较多，但不少选项是比较专业的，因此，如果设置后出现问题，请选择“LOADBIOSDEFAULTS”，恢复可靠的设置参数。下面逐条说明相关内存设置。
Above1MBMemoryTest：设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌，电脑用户安装内存容量陡然增加，开机时的大容量内存自检时间太长，今后，即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。
AutoConfiguration：设置为允许时，BIOS按照最佳状态设置。BIOS可以自动设置内存定时，因此会禁止一些对内存设置的修改，建议选择允许方式。
MemoryTestTickSound：是否发出内存自检的滴嗒声。
MemoryParityErrorCheck：设置是否要设置内存奇偶校验。多在30线内存条使用时代，已经被淘汰。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。
CacheMemoryController：是否使用高速缓存。不在流行的AwardBIOS中使用。
ShadowRAMOption：设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度，但也可能造成 死机 。
InternalCacheMemory：是否使用CPU内部缓存(一级缓存)。可以提高系统性能。
ExternalCacheMemory：是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)。可以提高系统性能。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现，使主板上的二级缓存退居成三级缓存。
ConcurrentRefresh：直译是同时发生的刷新。设置CPU在对 其它 I/O操作时对内存同时刷新，可以提高系统性能。
DRAMReadWaitState：设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。
DRAMWriteWaitState：设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待。
SlowRefresh：对质量好的内存，保持数据的时间比较长，可以设置更长的时间周期，从而提高系统性能。
ShadowCachecable：把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存，使性能更进一步。
PageMode：使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式。
RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期，因此采用计数器来监视RAS周期，一旦超过RAS周期，则将周期自动复位为0。
MemoryRelocation：内存重新定位。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中。
MemoryHole：有人称作内存孔洞。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用，可以加速该卡工作速度或避免冲突。一般被设置成禁止，除非ISA扩展卡有专门的说明。
DRMATimingSetting：快页内存或EDO内存速度设置，通常是60ns或70ns选择，对10ns或更快的SDRAM内存无效。
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关于怎么在bios设置内存条和bios里面怎么设置内存的介绍到此就结束了，不知道你从中找到你需要的信息了吗 ？如果你还想了解更多这方面的信息，记得收藏关注本站。