本篇文章给大家谈谈pcm分摊，以及对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。
本文目录：
- 1、谁能跟我详细 说下 sap pcm oracle hpcm sas abm三种产品 优势和劣势 感激不尽
- 2、晶体管的分类
- 3、有人知道Hyperion和Cognos的区别吗？
- 4、SAP PCM产品具体的功能是什么？与其它厂商的相似软件相比优缺点有哪些？
- 5、通信维护整理光缆套用什么定额？
- 6、晶体管 2655 是什么东西？？？
谁能跟我详细 说下 sap pcm oracle hpcm sas abm三种产品 优势和劣势 感激不尽
如果你是甲方，需要招标，且没有政治因素，那么建议你多找几家咨询实施公司来讲讲，对比对比，优缺点、价格、人力资源要求、是否适合你们等等还是很容易有结论的——百度上应该很难得出正确的答案的，毕竟好的不一定就是最适合你们的。
另外，在我印象中，oracle hpcm是主打成本分摊和盈利分析的，sas abm也是成本分摊和盈利分析，而sap pcm应该是合作伙伴渠道管理，sap的成本分摊、盈利分析应该是它的SAP ECC中的CO、PA等子模块，所以稍稍有些疑惑，或许是我的知识有限。
另外，个人没有接触过sas abm，所以对这个产品没有发言权。对于oracle hpcm和sap，前者的界面更好看，通常it人员更喜欢，有他们发挥的空间，业务流程及理念极度缺乏，数据模型基本需要完全客户化，按理说对实施商要求很高，但国内推hpcm的咨询公司只能勉强说一般，而且刚刚推出，敢于对新事物进行尝试的企业可以考虑；sap的界面会差些，有良好的业务理念，更适合业务人员，IT人员需要学习新的技术，新的维护方式，会有一定的抵触性。
晶体管的分类
是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏 置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。
三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。
请对照三极管手册的Ib；Ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。
如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相，在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。
晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。
因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。 “双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与运动。双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
“场效应”的含义是这种晶体管的工作原理是基于半导体的电场效应的。
场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管，英文简称FET。场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属0-氧化物-半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET ）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 交流放大倍数，也即交流电流放大系数、动态电流放大系数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
集电极——集电极反向击穿电压
该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。
基极—— 基极反向击穿电压
该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
发射极——发射极反向击穿电压
该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。
集电极——基极之间的反向电流ICBO
ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。
有人知道Hyperion和Cognos的区别吗？
Hyperion和Cognos相同的地方是底层都是基于多维数据仓库，区别在于业务应用方向侧重点不同：
1、Hyperion主要集中在全面预算（包括预算编制、控制及分析），在这个领域知名度还是非常高的，早几年中大型企业在选型时大部分都选了Hyperion，但近几年被收购之后，出现了一些问题，如预算审批和预算控制功能的缺失一直没有解决，被并购入后较少新功能开发，近几年研发主要集中在支持云化，业务功能扩展较少。
2、Cognos是商业智能（BI）软件，图表和钻取等，之前国内的代理商优信佳把此软件卖得炉火纯青，几大行、电信三大运营商、国网都是cognos典型用户，而BO和Brio根本拼不过；后来这几家陆续被收购之后市场开始乱了....
好现象是，国内随着大数据火起来，带动了一批以BI为基础的大数据提供商发展，SmartBI 、永洪等，而全面预算领域也出现了强有力的本土厂商，如智达方通等，这些本土厂商优势在于：
1、接地气，部分国外软件没有的功能设计满足国内客户特定需求。
2、个性化开发能力强。
3、性价比高。
SAP PCM产品具体的功能是什么？与其它厂商的相似软件相比优缺点有哪些？
如果你是甲方，需要招标，且没有政治因素，那么建议你多找几家咨询实施公司来讲讲，对比对比，优缺点、价格、人力资源要求、是否适合你们等等还是很容易有结论的——百度上应该很难得出正确的答案的，毕竟好的不一定就是最适合你们的。
另外，在我印象中，oracle hpcm是主打成本分摊和盈利分析的，sas abm也是成本分摊和盈利分析，而sap pcm应该是合作伙伴渠道管理，sap的成本分摊、盈利分析应该是它的SAP ECC中的CO、PA等子模块，所以稍稍有些疑惑，或许是我的知识有限。
另外，个人没有接触过sas abm，所以对这个产品没有发言权。对于oracle hpcm和sap，前者的界面更好看，通常it人员更喜欢，有他们发挥的空间，业务流程及理念极度缺乏，数据模型基本需要完全客户化，按理说对实施商要求很高，但国内推hpcm的咨询公司只能勉强说一般，而且刚刚推出，敢于对新事物进行尝试的企业可以考虑；sap的界面会差些，有良好的业务理念，更适合业务人员，IT人员需要学习新的技术，新的维护方式，会有一定的抵触性。
一个贴吧里面的，非原创，希望对你有用
通信维护整理光缆套用什么定额？
一、定额
定额是标准，是规定的数量标准。
如工程定额就是在合理的劳动组织和合理地使用人工、材料、机械和仪器仪表的条件下，预先规定完成单位合格产品的消耗的资源数量之标准，它反映一定时期的社会生产力或企业水平的高低。
对于每一个产品，都要测算出用工量（包括基本工和其它用工）、材料用量（包括基本用料和其它材料）、机械和仪器仪表用量。对于用工的单价，是根据行业或当地当时不同工种的劳动力价值规定的；材料的价值是根据前期的市场价格制定出来的预算价格或当期市场的实际价格；机械和仪器仪表价值是根据行业或当地前期的市场价格制定出来的预算价格。
根据每一个项目的工、料、台班用量及价值，按照不同类别，汇总成册，就是定额。
（一个某项工程量用工定额是指从驻地上班准备开始，再到施工现场施工，再到施工完毕后清场，再回到驻地为止的时间。一个工日是按8小时计算出来的。）
定额根据其性质、内容、形式和用途的不同，可分为5大类：
1、按管理层次分为：全国统一定额、行业通用定额、地方定额和企业定额。
2、按用途分为：概算定额（投资估算指标）、预算定额、施工定额、工期定额等。
3、按物质内容分为：劳动定额、材料消耗量定额、机械台班定额和仪器仪表使用定额。
4、按费用性质分为：建筑工程定额、安装工程定额、工程费用定额（直接费用定额、间接费用定额）等。
5、按使用性质分为：安装工程定额、运行维护定额。
现在通信行业用的安装工程定额是 2008版 的通信工程预算定额和 2011版 的通信工程预算补充定额。 运行维护定额是 2009版 的通信工程量清单计价定额（YD 5192-2009）。都属行业定额。
二、预算定额总说明
1．本定额系通信行业标准。
2．本定额适用于新建和扩建工程。改建工程可参照使用。本定额用于扩建工程时，其人工工时按1.1系数计取，拆除工程的人工工日和台班计取办法见分册的各章说明。
3. 本定额采用“控制量”、“技普分开”和“量价分离”的原则。
4．本定额工日中的工作内容范围除说明外，还包括工种间交叉配合，临时移动水电，设备调测和超高搬运，施工现场范围内的器材运输及配合质量检验等。
5. 有关项目的调整系数，按各册、各章规定执行。
6． 定额中的材料消耗量包括直接用于安装工程中的主要材料使用量和规定的损耗量；规定的损耗量指施工运输、现场堆放和生产过程中不可避免的合理损耗量。
7．施工措施性消耗部分和周转性材料按不同施工方法、不同材质分别列出一次使用量和一次摊销量。
8．特殊地区（高原、原始森林、沼泽、非固定沙漠）若在施工中同时存在两种以上情况时，只能参照较高标准计取一次，不应重复计列。
9．定额中带括号、分数或 * 表示的消耗量，由设计选定。
10．定额中注有“××以内”或“××以下”者均包括“××” 本身；“××以外”或“××以上”者则不包括“××” 本身。
11．要特别留意每章节的说明及注释。
12．本定额是编制通信项目投资估算、概算、预算和工程量清单的基础。也可作为通信项目招投标报价的基础。
13．通信维护的工程量按工程量清单方式进行计取。
14．机房的土建、改造及装修；市电、空调、铁塔制作与安装的费用，应按相关行业的规定计取。
三、需要说明：
在现实操作中，定额的计取可由建设单位确定或合同约定。
四、定额套用
（一）通信管道工程
1．册说明：
2．开挖路面、挖填管道沟及人手孔：
* 开挖路面厚度包括面层、基层和垫层。
* 地上、地下障碍物处理的用工用料由设计按实另列。
* 土石方工程量应按“自然方” (未经扰动的自然状态的土方) 计取。附录仅供参考。
* 管道沟底和沟口的宽度：由设计根据规范或实际情况确定。
* 回填土方中不允许回填软石、坚石渣等。
* 定额 TXL2-016 手推车倒运土方的距离：≤150m。（市政）
* 城镇路面的赔补费用和修复路面定额，只能计取一项，不能同时计取。
修复混凝土路面：建议套用 TGD2-092。
市政修复路面定额（GYD-305-1999 仅供参考）
柏 油路面： 2-189 2.80工日 / 百平方米。
花 砖路面： 2-259 13.30工日 / 百平方米。
条 石路面： 2-300 24.40工日 / 百平方米。
(市政定额是按综合工日计取的。折成通信定额可按技普1：1.5比例分摊。如花砖路面可分摊为：技工5.32；普工7.98。 类推)
3．铺管：
* 工程用水： 5立方米 / 每百米管程段（做基础用）（P12）。
* 铺设多孔复合塑料管按标准单孔管对待。
4．砌筑人手孔：
* 通信管道人孔和管块组群图集(YDJ-101-1991)
* 通信电缆配线管道图集(YD 5062-1998)
* 工程用水：3立方米 / 人孔； 1立方米 / 手孔(P33)。
* 砌筑人手孔基础需加筋时，每100千克钢筋技、普工各按 0.25 工日计取。钢筋另计。
5．管道防护及其他：
* 用油毡和玻璃布作防水的作法，建设部已下文禁用。
6. 敷设小口径塑料管一般是指 ≤φ41 / 50mm的硅衬管。
7．地下定向钻孔敷管中的 φXXXmm 是指钻孔孔径，不是指敷管的管径。
8．地下顶管和保护管，按 米/根 计量。
9．打穿地下室墙（层）洞，建议套用定额 TXL4-036
（二）通信线路工程
通用部分
1. 通信线路工程不在分为长途线路工程与市话线路工程。
2．线路工程施工测量：只计取室外的路由长度。包括墙挂光电缆、引上光电缆地下水平部分等
但在同一路由段上布放多条光 (电) 缆段时，施工测量只能计取一次，不能多次计取。 例如：布放光 (电) 缆 500 m和 600 m两条，其中同一路由 400 m。那么这项线路工程施工测量距离应为 400 m +（ 500-400 ）m + （ 600-400 ）m 。
3．布放光（电）缆：定额中已包括使用量和规定的损耗量，但不包括预留量。在设计时，图纸要标明预留量，材料应据实计列。
工程实际用料 = 图纸净值 + 自然伸缩量 + 接头损耗量 + 引上用量 + 盘留量）
4. 引上光（电）缆：是指从人（手）孔内至地面上水平吊挂间的光（电）缆段。定额论条不论长度。材料应据实计列。
5. 敷设金属管、塑料管、线槽定额中，包括安装附件。
6．光 (电) 缆接续：接续量按小头计取。接头器材按大头的规格计列。
7．架设墙吊式光(电)缆时，建议吊线采用 7/1.4(1.8)mm 以下的钢绞线和扎线吊挂。
通信杆路工程
1．挖电杆、拉线、撑杆坑等的土质系按综合土、软石、坚石三类划分。其中综合土的构成按普通土20%、硬土50%、砂砾土30%。
2. 本定额中立电杆与撑杆、安装拉线部分为平原地区的定额，用于丘陵、水田、城区时按相应定额人工的 1.3 倍计取；用于山区时按相应定额人工的 1.6 倍计取。
3. 更换电杆及拉线按本定额相关子目的 2 倍计取。
4. 高桩拉线中电杆至拉桩间正拉线的架设，套用相应安装吊线的定额；立高桩套用相应立电杆的定额。
5. 敷设档距在100 米以上的吊线、光（电）缆(包括自承式)时，其人工按相应定额的 2 倍计取。
通信光缆工程
1．光缆测试：
* 测试指标：单盘测试、接续测试、衰减和长度测试、回波损耗测试、光纤偏振模色散测试。 按芯 / 段单位分档。 光缆段是指光缆两端带尾纤接头之间的光缆部分。
* 光缆测试用仪表：除40千米以上的中继段光缆测试可能用偏振模色散测试仪外，其它光缆的测试一般只用光时域反射仪即可。光源和光功率计使用根据需要而定。
2．中继段光缆测试：在本地网中是指对局端至局端之间，并在局端光交接设备上与传输设备相连的光缆部分；它包括中间光交接设备及跳纤。应按每次需开通的芯数套用相关测试定额。 一段中继段光缆可由一个或几个光缆段连接组成。一般按“双窗口”测试。
3. 用户光缆测试：是指局端光交接设备至用户端（光模块，或光收发器，或光用户面板，或进用户所在建筑物内第一个交接设备）之间的光缆部分；它包括中间光交接设备及跳纤。应按每次需开通的芯数套用相关测试定额。一段用户光缆可由一个或几个光缆段连接组成。一般按“双窗口”测试。
4．铠装光缆埋设按相应定额的 1.2 倍计取。 接续按相应定额的 1.5 倍计取(P16)。
5．布放室外通道光缆按布放管道光缆相应定额的0.8倍计取(P89)。
6．成端光缆：是指成端接头至配线设备端子间的光缆(尾纤)。定额论芯不论长度。材料应据实计列。
7．定额 TXL4-085、TXL4-086 在同路由布放时，每增加一条蝶形光缆，定额增加0.5倍。
8．定额 TXL5-195，只适用承载CATV业务时用。
9．光分路器测试定额，如采用2：N时，按定额的1.6倍计取。
10．安装架空式光交箱，建议套用架空式电交箱相应定额。（108芯/600对；288芯/1200对；288芯以上/2400对；576芯/2400对以上）
通信电缆工程
1. 成端电缆：是指电缆要上配线架或箱至配线设备端子间的电缆。定额论条不论长度。材料应据实计列。 通常进局（箱）电缆的对数超过直列端子数的才作成端接续(阻燃电缆)。
布放100对以下的成端电缆，建议套用组线箱成端电缆定额。
2．配线电缆全程测试：它是指局端至分线设备，或用户端交接设备之间的全部传输介质的测试。
建议: 电缆线路中，有交接设备的，按交接设备进端进线对数 + 出端出线对数计取。
无交接设备的，按到用户的芯数计为一条段。
从接头掏出的，按到用户的芯数计为一条段。
3．布放和改接电缆跳线定额，只在电缆割接工程中计取。按实际用户数计。
4．按装50对以上的分线设备，建议套用定额 TXL6-032。
5．建议：H 杆上单独安装交接箱体时，工日按相应定额量 – 1.2计取。 单独安装站台时，工日按技普工各 1.2 个计取。
综合布线工程
1．填槽：埋￠50管的，按定额的 2 倍计取。
2．双绞线缆（五类缆）：
* 布放墙吊五类缆，建议套用定额 TXL4-52；布放钉固五类缆，建议套用定额 TXL4-54；布放槽道五类缆，建议套用定额 TXL4-62。
* 布放、终接4芯双绞线缆（五类缆），可套用布放、终接8芯双绞线缆（五类缆）相应定额。
* 布放皮线光缆，套用定额 TXL7-041 / 042。
3．安装网络箱，建议套用定额 TXL7-031。
4．安装8位模块式信息插座，包含RJ11、RJ45。
5．电缆链路和光纤链路测试只适用于综合布线工程。
* 电缆（五类缆）链路测试，是指对用户所在的建筑物内的以太网交换机到用户面板之间带 RJ45 接头的全部传输介质的测试，它包括中间网络设备及跳线。
* 光纤链路测试，一般是指对用户所在的建筑物内的第一个光交接设备到用户面板之间的全部传输介质的测试，它包括中间网络设备及跳纤。
6．光纤冷接，套用定额 TXL7-050 / 051。
7．综合布线工程中不计取施工测量工程量。
（三）通信设备工程
通用部分
1．线缆桥架安装为双层时，按相应定额的2倍计取。现场制作并安装时，按相应定额的3倍计取，材料据实。
2．各种铁件（架）的制作，可套用定额 TSD6-018。
3．成套设备中已包含主材，不在另列。
4．设备内部的线缆安装已包含在设备安装定额中。
5．设备拆除，包含相关设备间缆线的拆除和改接。
6. 设备端口调测：固定端口数量以配置为准，板/卡端口数量以以实配板/卡上的数为准。不管是否再用。
通信电源工程
1．册说明：
* 通信电源工程用仪表定额，不是按台班，而是按基价列出的。
2．供电设备：一般由供电部门做。
3．发电设备：
* 风力发电机安装不包括底座基础施工和杆塔施工，其底座基础施工安装土建专业相关定额另行计算；
4．交流设备：
* 配电系统自动性能调测定额（TSD3-071）：是指在供电回路中带有仪表、继电器、电磁开关等调测元件，而且必须要进行调测的才能计取。
* 逆变器套用UPS定额。
5．线缆：
* 电力电缆端头的制作安装，1KV以下的布放定额已包含（变更的另列）； 1KV以上的布放得另列。
* 布放电力电缆时，2芯的按相应定额的 1.5 倍计取； 4芯的按相应定额的 2 倍计取； 5芯的按相应定额的 2.5 倍计取。
* 穿、布放电源线（≤n * 4mm2）：建议套用定额 TSD4-019 或TSY1-075。
6．接地：
* 敷设室外接地母线定额中包含了挖填土方量。
有线通信工程
1 册说明：
* 由商家负责系统调测的工作量，仅计列承建单位的“配合调测用工” （TSY2 – 042/ 043/ 044/ 057/ 058/ 059/ 060； TSY4 – 039/ 040/ 041）。
* 数字传输分析仪台班分：2M； 8M； 34M /45M； 155M； 622M；2.5G；10G；40G档。套用时要注意。
* 误码测试仪台班分：2M；8M；34M /45M；155M；622M；2.5G；10G；40G档。套用时要注意。
* 数字示波器台班分：350M；500M档。
2．机架、线缆：
* 定额 TSY1-004 是指空机架、柜。
* 安装总配线架空架时,按相应定额的 0.8 倍计取。
* 软光纤一般是指跳纤。
3．传输：
* 设备系统测试：以实开数计取。。
* 终端复用器 TM、分插复用器 ADM、数字交叉设备 DXC 套用接口盘定额。一收一发为一个端口。
* 定额 TSY2--014～016 端口如是光口，建议可按1.25系数计取。
* 安装测试 PCM 设备，包含 ADPCM 设备。
* 定额 TSY1-098 包括安装站台。
* 基站、接入网工程段各端口的安装测试： 8个端口以下的按人工定额乘以3.0系数；8个端口以上按人工定额乘以2.0系数计算。（定额 * 数量 * 系数）。
* 安装测试ASON(自动交换光网络)设备的安装测试也套用此定额。
4．交换：
* 交换设备软件调测时，施工配合工日按相应定额的0.2倍计取。
5．数据：
* 数据接口（TSY2-016）包括 FE、GE、ATM 等接口。
* 数据通信定额中的高、中、低端设备含义，应参照当时主流设备的综合性能指标或所处网络位置进行划分。
* 安装调测局域网交换机，二层交换机套用低端的定额，三/四层交换机套用中高端的定额。
* 安装调测光电转换器通常是指光收发器。
* 协议转换器(网桥)
6．系统集成工程
系统集成工程中所需用的定额，应套用电子行业（2005版）的。(信部规[2005]36号
无线通信工程
1．册说明：
* 天线基础及支撑物定额另计。
* 天线安装高度均指天线底部距塔底或杆底座的高度。
* 由商家负责系统调测的工作量，仅计列承建单位的“配合调测用工”（TSW2 – 035/ 048/ 059）。
2．机架、线缆：
* 定额 TSW1-006 是指空机架、柜。
3．移动：
* 安装调测室外天馈附属设备，按室内天馈附属设备定额的1.3倍计取。
* 安装宽体（＞400mm）定向天线时，按相应定额的1.2倍计取。
* 安装美化罩内天线时，按相应定额的1.3倍计取。
* 3G基站系统调测，套用 CDMA 基站定额。
* 安装调测移动交换设备，套用程控电话交换设备定额。
* 移动安装所需材料除商家配套外，其余由设计据实计列。
4．微波：
5．卫星：
* VSAT卫星站是指天线 ф≤2.4m 的卫星站。
* 卫星站安装所需材料除商家配套外，其余由设计据实计列。
晶体管 2655 是什么东西？？？
晶体管
晶体管（transistor 计：MOS transistor; npn 化：transistor）
【简介】
晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-cn:二极管;zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。
晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。
因为晶体管的低成本和后来的电子计算机，数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在-{A|zh-cn:信息;zh-tw:资讯}--{A|zh-cn:数字;zh-tw:数位}-化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视，广播和报纸。
【英文简述】
A transistor is a semiconductor device, commonly used as an amplifier or an electrically controlled switch. The transistor is the fundamental building block of the circuitry that governs the operation of computers, cellular phones, and all other modern electronics.
Because of its fast response and accuracy, the transistor may be used in a wide variety of digital and analog functions, including amplification, switching, voltage regulation, signal modulation, and oscillators. Transistors may be packaged individually or as part of an integrated circuit, which may hold a billion or more transistors in a very small area.
【历史】
1947年12月，美国贝尔实验室的肖克莱、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的降生吹响了号角。
20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音收，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。
晶体管的发明，最早可以追溯到1929年，当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是，限于当时的技术水平，制造这种器件的材料达不到足够的纯度，而使这种晶体管无法制造出来。
由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石(半导体)表面相接触的金属丝(像头发一样细且能形成检波接点)，它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。
在第二次世界大战期间，不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面，也取得了不少成绩，这就为晶体管的发明奠定了基础。
为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天，贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组，成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作，长期从事半导体的研究，积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察，逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现，在锗片的底面接上电极，在另一面插上细针并通上电流，然后让另一根细针尽量靠近它，并通上微弱的电流，这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化，会对另外的电流产生很大的影响，这就是“放大”作用。
布拉顿等人，还想出有效的办法，来实现这种放大效应。他们在发射极和基极之间输入一个弱信号，在集电极和基极之间的输出端，就放大为一个强信号了。在现代电子产品中，上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。
巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后，他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点，来代替金箔接点，制造了“点接触型晶体管”。1947年12月，这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了，在首次试验时，它能把音频信号放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transister，中文译名就是晶体管。
由于点接触型晶体管制造工艺复杂，致使许多产品出现故障，它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点，肖克莱提出了用一种"整流结"来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。
1950年，第一只“面结型晶体管”问世了，它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管，大部分仍是这种面结型晶体管。
1956年，肖克莱、巴丁、布拉顿三人，因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖。
【晶体管的发展历史及其重要里程碑】
1947年12月16日：威廉·邵克雷(William Shockley)、约翰·巴顿(John Bardeen)和沃特·布拉顿(Walter Brattain)成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。
1950年：威廉·邵克雷开发出双极晶体管(Bipolar Junction Transistor)，这是现在通行的标准的晶体管。
1953年：第一个采用晶体管的商业化设备投入市场，即助听器。
1954年10月18日：第一台晶体管收音机Regency TR1投入市场，仅包含4只锗晶体管。
1961年4月25日：第一个集成电路专利被授予罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)。最初的晶体管对收音机和电话而言已经足够，但是新的电子设备要求规格更小的晶体管，即集成电路。
1965年：摩尔定律诞生。当时，戈登·摩尔(Gordon Moore)预测，未来一个芯片上的晶体管数量大约每年翻一倍(10年后修正为每两年)，摩尔定律在Electronics Magazine杂志一篇文章中公布。
1968年7月：罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔从仙童(Fairchild)半导体公司辞职，创立了一个新的企业，即英特尔公司，英文名Intel为“集成电子设备(integrated electronics)”的缩写。
1969年：英特尔成功开发出第一个PMOS硅栅晶体管技术。这些晶体管继续使用传统的二氧化硅栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。
1971年：英特尔发布了其第一个微处理器4004。4004规格为1/8英寸 x 1/16英寸，包含仅2000多个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术生产。
1978年：英特尔标志性地把英特尔8088微处理器销售给IBM新的个人电脑事业部，武装了IBM新产品IBM PC的中枢大脑。16位8088处理器含有2.9万个晶体管，运行频率为5MHz、8MHz和10MHz。8088的成功推动英特尔进入了财富(Forture) 500强企业排名，《财富(Forture)》杂志将英特尔公司评为“七十大商业奇迹之一(Business Triumphs of the Seventies)”。
1982年：286微处理器(又称80286)推出，成为英特尔的第一个16位处理器，可运行为英特尔前一代产品所编写的所有软件。286处理器使用了13400个晶体管，运行频率为6MHz、8MHz、10MHz和12.5MHz。
1985年：英特尔386™微处理器问世，含有27.5万个晶体管，是最初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，即它可在同一时间运行多个程序。
1993年：英特尔®奔腾®处理器问世，含有3百万个晶体管，采用英特尔0.8微米制程技术生产。
1999年2月：英特尔发布了奔腾®III处理器。奔腾III是1x1正方形硅，含有950万个晶体管，采用英特尔0.25微米制程技术生产。
2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，高性能桌面台式电脑由此可实现每秒钟22亿个周期运算。它采用英特尔0.13微米制程技术生产，含有5500万个晶体管。
2002年8月13日：英特尔透露了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生产中采用应变硅。
2003年3月12日：针对笔记本的英特尔®迅驰®移动技术平台诞生，包括了英特尔最新的移动处理器“英特尔奔腾M处理器”。该处理器基于全新的移动优化微体系架构，采用英特尔0.13微米制程技术生产，包含7700万个晶体管。
2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生，含有2.3亿个晶体管，采用英特尔领先的90纳米制程技术生产。
2006年7月18日：英特尔®安腾®2双核处理器发布，采用世界最复杂的产品设计，含有17.2亿个晶体管。该处理器采用英特尔90纳米制程技术生产。
2006年7月27日：英特尔®酷睿™2双核处理器诞生。该处理器含有2.9亿多个晶体管，采用英特尔65纳米制程技术在世界最先进的几个实验室生产。
2006年9月26日：英特尔宣布，超过15种45纳米制程产品正在开发，面向台式机、笔记本和企业级计算市场，研发代码Penryn，是从英特尔®酷睿™微体系架构派生而出。
2007年1月8日：为扩大四核PC向主流买家的销售，英特尔发布了针对桌面电脑的65纳米制程英特尔®酷睿™2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔®酷睿™2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。
2007年1月29日：英特尔公布采用突破性的晶体管材料即高-k栅介质和金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔®酷睿™2双核、英特尔®酷睿™2四核处理器以及英特尔®至强®系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管或微小开关中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代码Penryn。采用了这些先进的晶体管，已经生产出了英特尔45纳米微处理器。
【晶体管出现的意义】
晶体管的出现，是电子技术之树上绽开的一朵绚丽多彩的奇葩。
同电子管相比，晶体管具有诸多优越性：
①晶体管的构件是没有消耗的。无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长 100到1000倍，称得起永久性器件的美名。
②晶体管消耗电子极少，仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。
③晶体管不需预热，一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，非得等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。
④晶体管结实可靠，比电子管可靠 100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。
正因为晶体管的性能如此优越，晶体管诞生之后，便被广泛地应用于工农业生产、国防建设以及人们日常生活中。1953年，首批电池式的晶体管收音机一投放市场，就受到人们的热烈欢迎，人们争相购买这种收音机。接着，各厂家之间又展开了制造短波晶体管的竞赛。此后不久，不需要交流电源的袖珍“晶体管收音机”开始在世界各地出售，又引起了一个新的消费热潮。
由于硅晶体管适合高温工作，可以抵抗大气影响，在电子工业领域是最受欢迎的产品之一。从1967年以来，电子测量装置或者电视摄像机如果不是“晶体管化”的，那么就别想卖出去一件。轻便收发机，甚至车载的大型发射机也都晶体管化了。
另外，晶体管还特别适合用作开关。它也是第二代计算机的基本元件。人们还常常用硅晶体管制造红外探测器。就连可将太阳能转变为电能的电池——太阳能电池也都能用晶体管制造。这种电池是遨游于太空的人造卫星的必不可少的电源。晶体管这种小型简便的半导体元件还为缝纫机、电钻和荧光灯开拓了电子控制的途径。
从1950年至1960年的十年间，世界主要工业国家投入了巨额资金，用于研究、开发与生产晶体管和半导体器件。例如，纯净的锗或硅半导体，导电性能很差，但加入少量其它元素(称为杂质)后，导电性能会提高许多。但是要想把定量杂质正确地熔入锗或硅中，必须在一定的温度下，通过加热等方法才能实现。而一旦温度高于摄氏75度，晶体管就开始失效。为了攻克这一技术难关，美国政府在工业界投资数百万美元，
以开展这项新技术的研制工作。在这样雄厚的财政资助下，没过多久，人们便掌握了这种高熔点材料的提纯、熔炼和扩散的技术。特别是晶体管在军事计划和宇宙航行中的威力日益显露出来以后，为争夺电子领域的优势地位，世界各国展开了激烈的竞争。为实现电子设备的小型化，人们不惜成本，纷纷给电子工业以巨大的财政资助。
自从1904年弗莱明发明真空二极管，1906年德福雷斯特发明真空三极管以来，电子学作为一门新兴学科迅速发展起来。但是电子学真正突飞猛进的进步，还应该是从晶体管发明以后开始的。尤其是PN结型晶体管的出现，开辟了电子器件的新纪元，引起了一场电子技术的革命。在短短十余年的时间里，新兴的晶体管工业以不可战胜的雄心和年轻人那样无所顾忌的气势，迅速取代了电子管工业通过多年奋斗才取得的地位，一跃成为电子技术领域的排头兵。
【分类】
按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
【电力晶体管】
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。
【光晶体管】
光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快(约为50皮秒)，但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。
【双极晶体管】
双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。
【双极结型晶体管】
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
【场效应晶体管】
场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属�氧化物�半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。
【静电感应晶体管】
静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
【单电子晶体管】
用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。在调制掺杂异质结界面形成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中形成一个量子点，它只能容纳少量的电子，也就是它的电容很小，小于一个？F (10-15法拉)。当外加电压时，如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷，则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时，才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系，而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动，为制造单电子晶体管提供了实验依据。为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流-电压曲线，但离实用还有相当的距离。
【绝缘栅双极晶体管】
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
【主要参数】
晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
电流放大系数
电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。
耗散功率
耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
频率特性
晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。
2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电
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