整流二极管、稳压二极管和开关二极管有什么区别？二极管种类和二极管的种类分法可以根据二极管的构造分类，用途分类以及特性分类进行区分
一、 二极管种类和二极管的种类分法：根据构造分类 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也 被列入的二极管的范围内。这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分如下种类：
1、 点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。，与面结型较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，，不能使用于大电流和整流。构造简单，价格便宜。小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、 键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管。与点接触型较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也 被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、 合金型二极管 在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，不适于高频检波和高频整流。
4、 扩散型二极管 在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、 台面型二极管 PN结的制作方法虽然与扩散型，，只保留PN结必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。，又把这种台面型称为扩散台面型。这一类型，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却。
6、平面型二极管 在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。，不为PN结面积的药品腐蚀作用。半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则。
7、合金扩散型二极管 它是合金型的一种。合金材料是被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有性的差异。其耐压只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 二、 二极管种类和二极管的种类分法：根据用途分类
1、 检波用二极管 就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也 有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、 整流用二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下： ① 硅半导体整流二极管2CZ型 ② 硅桥式整流器QL型、 ③ 用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、 限幅用二极管 大多数二极管能限幅使用。也 有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也 有的组件出售：依据限制电压，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、 调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管。正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使变容二极管也 有调制用途，但通常是直接调频用。
5、 混频用二极管 使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管 用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管
7、开关用二极管 有在小电流下（10mA）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也 有在高温下还工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用； 2CK型平面接触为高速开关电路用； 用于开关、限幅、钳位或检波等电路； 肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商也 有叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，也 可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，这些二极管电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。对阶跃二极管施加正弦波，，因tt（转移时间）短，输出波形急骤地被夹断，故能产生高频谐波。
10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成等级。在功率，也 有从200mW至100W的产品。工作在反向击穿，硅材料制作，动态电阻RZ很小，为2CW型； 将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、 PIN型二极管（PIN Diode） 这是在P区和N区夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高； 在直流正向偏置时，载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗。，把PIN二极管可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片的时间，其电流滞后于电压，延迟时间，若地控制渡越时间，，在电流和电压关系上就会负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、 江崎二极管 （Tunnel Diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内； ②空间电荷层宽度很窄（0.01微米以下）； 简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”； 而下标“V”代表“谷”。江崎二极管被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也 被应用于高速开关电路中。
14、 快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) 它也 是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、 肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode） 它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管 TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管） 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
三、 二极管种类和二极管的种类分法：根据特性分类 点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。 1、 用点接触型二极管 这种二极管正如标题的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也 不特别坏的产品。如：SD34、 SD46、1N34A等等属于这一类。
2、 高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管正向特性不太好或。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。更高时有硅合金和扩散型。
3、 高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和用二极管。虽然其反方向耐压也 是特别地高，但反向电流小，其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、 1N54A等等属于这类二极管。
4、 高传导点接触型二极管它与高反向电阻型相反。其反向特性很差，但使正向电阻足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的下，整流效率较高。