1nm芯片是多大？
1纳米，也可写成1nm。一个很小的长度单位。
纳米（nm），是nanometer译名即为毫微米，是长度的度量单位，国际单位制符号为nm。
1纳米=10^-9米，长度单位如同厘米、
分米和米一样，是长度的度量单位。
1纳米相当于4倍原子大小，比单个细菌的长度还要小的多。国际通用名称为nanometer，简写nm。
单个细菌用肉眼是根本看不到的，用显微镜测直径大约是五微米。
假设一根头发的直径是0.05毫米，把它轴向平均剖成5万根，每根的厚度大约就是1纳米。也就是说，1纳米就是0.000001毫米。
现时很多材料的微观尺度多以纳米为单位，如大部份半导体制程标准皆是以纳米表示
什么化学能使黄铜变银白色？
不需要化学药品，只需要在空气中灼烧就可以了。发黑是被氧化后形成氧化铜的颜色：2Cu+O2=2CuO发绿是在潮湿的空气中形成了碱式碳酸铜：2Cu+O2+CO2+H2O=Cu2(OH)2CO3黄铜表面的化学药水处理包括很多种类型和方法：抛光（化学以及电化学抛光）、仿古、电镀、着色、蚀刻、电泳等等.每一种方式和工艺都比较专业,可以和专业厂商合作.
光刻和蚀刻的作用？
刻蚀机和光刻机的区别：光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。
刻蚀相对光刻要容易。如果把在硅晶体上的施工比成木匠活的话，光刻机的作用相当于木匠在木料上用墨斗划线，刻蚀机的作用相当于木匠在木料上用锯子、凿子、斧子、刨子等施工。蚀刻机和光刻机性质一样，但精度要求是天壤之别。木匠做细活，一般精确到毫米就行。做芯片用的刻蚀机和光刻机，要精确到纳米。
现在的手机芯片，如海思麒麟970，高通骁龙845都是台积电的10纳米技术。10纳米有多小呢？
打个比方。如果把一根直径是0.05毫米头发丝，按轴向平均剖成5000片，每片的厚度大约就是10纳米。现在世界上最先进的光刻机是荷兰的ASML公司，最小到10纳米。台积电买的都是它的光刻机。
ASML公司实际上是美国、荷兰、德国等多个国家技术合作的结果。因为这方面的研究难度太大，单个国家完成不了。除了ASML，世界上只有我们还在高端光刻机上努力研发。
我们是受到技术禁运的，不能买他最先进的产品，国内上海量产的是90纳米的光刻机。技术上有差距。2017年，长春光机所“极紫外光”技术获得突破，预计能达到22-32纳米，技术差距缩小了。
我相信，不久的将来，我们的科技人员一定能研制出世界一流的光刻机，不再被卡脖子。核心技术、关键技术、国之重器必须立足于自己。科技的攻关要摒弃幻想，靠我们自己。
我们刻蚀机技术已经突破，5纳米的刻蚀机我们也能自主生产，现在卡脖子的是光刻机。在芯片加工过程中，光刻机放样，刻蚀机施工，清洗机清洗。然后反复循环几十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶体管的集成电路才能完成。放样达不到精度，刻蚀机就失去用武之地了。
什么是光刻机
光刻机（Mask Aligner） 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光来制作一个图形（工艺）；在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
光刻的目的
使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。
光刻机工作原理
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。
光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。
掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
光刻机分类
光刻机一般根据操作的简便性分为三种，手动、半自动、全自动。
A 手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；
B 半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐；
C自动：指的是从基板的上载下载，曝光时长和循环都是通过程序控制，自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。
光刻机可以分为接近接触式光刻、直写式光刻、以及投影式光刻三大类。接近接触式通过无限靠近，复制掩模板上的图案；投影式光刻采用投影物镜，将掩模板上的结构投影到基片表面；而直写，则将光束聚焦为一点，通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工。光学投影式光刻凭借其高效率、无损伤的优点，一直是集成电路主流光刻技术。
光刻机应用
光刻机可广泛应用于微纳流控晶片加工、微纳光学元件、微纳光栅、ＮＭＥＭＳ器件等微纳结构器件的制备。
刻蚀机是什么
实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。
刻蚀机的原理
感应耦合等离子体刻蚀法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，简称ICPE）是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下，ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF 射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，然后从真空管路被抽走。
蚀刻率定义？
蚀刻率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，刻蚀窗口的深度称为台阶高度。为了高的产量，希望又高的蚀刻率。在采用单片工艺的设备中，这是一个很重要的参数。刻蚀速率由工艺和设备变量决定，如被刻蚀材料类型、刻蚀机的结构配置、使用的刻蚀气体和工艺参数设置
pcb蚀刻因子是越大越好吗?为什么？
是的，算的方法是：二倍的铜厚除以线宽下幅减线宽上幅，也就是说毛边越小越好。
对蚀刻因子的理解结果,计算方法是以蚀刻过程完成后蚀刻线的上线宽和下线宽为计算依据的,具体计算公式是蚀刻因子=蚀刻线厚/[(下线宽-上线宽)/2]。
通过计算方法的试验结果显示,过蚀越多,蚀刻因子越大。对于正常蚀刻的0. 5oz薄铜板计算蚀刻因子为2.5,而过度蚀刻的厚铜板 (10Z和2oz)蚀刻因子高达5.6和6.0,差异很大。蚀刻因子计算方法2的公式是蚀刻因子=蚀刻线厚/[(抗蚀层宽度-最窄线宽)/2]